2019 Q2 Hynix kommer att producera andra generationens 10nm processminne

  SK hynix avslöjade nyligen att företaget kommer att öka sin första generationens 10 nanometer tillverkningsprocess (dvs. 1X nm) DRAM-produktion och kommer att börja sälja sin andra generationens 10 nanometer tillverkningsteknik (även kallad 1Y nm) under andra hälften av år. Minne. Att accelerera övergången till 10nm-tekniken kommer att göra det möjligt för företaget att öka DRAM-utdata, vilket slutligen minskar kostnaderna och förbereder nästa generations minne.

De första produkterna som tillverkas med hjälp av SK Hynix 1Y nm produktionsteknik kommer att vara dess 8Gb DDR4-3200 minneskrets. Tillverkaren säger att den kan minska chipstorleken på 8Gb DDR4-enheter med 20% och minska sin energiförbrukning med 15% jämfört med liknande enheter som tillverkats med hjälp av sin 1X nm-tillverkningsteknik. Dessutom har SK Hynix kommande 8Gb DDR4-3200 chip två viktiga förbättringar: ett 4-fassklockningssystem och Sense Amplifier-styrteknik.

Även om dessa tekniker är viktiga även för DDR4 i år sägs att SK hynix använder sin 1Y nm tillverkningsprocess för att tillverka DDR5, LPDDR5 och GDDR6 DRAM. Därför måste Hynix uppgradera sin andra generationens 10 nanometer tillverkningsteknik så snart som möjligt för att förbereda framtiden.