3nm Technology Unveiled! Samsung delar de senaste 3GAE-processuppgifterna

På den senaste IEEE International Solid State Circuits konferensen delade Samsung några detaljer om sin egen 3nm Gae MBCFET-chip-tillverkning.

Enligt den senaste rapporten som släpptes av digitalimes kommer TSMC: s 3NM-process att börja provproduktion under andra halvåret i år. Under de senaste åren har konkurrensen mellan Samsung och TSMC i avancerade teknikprocesser blivit alltmer hård. Även om Samsung har lagt sig bakom TSMC, är det ständigt att fånga upp.

Det rapporteras att i form av 3NM-process, insisterar TSMC fortfarande på att använda Finfet-teknik, men Samsung har valt att övergå till Nanochip-transistorer.

Enligt Taejoong sång, vice president för Samsung Electronics vid mötet, kommer den nano-chip strukturerade transistorn att bli en lyckad design eftersom denna teknik kan ge "hög hastighet, låg strömförbrukning och ett litet område".

Faktum är att Samsung, så tidigt som 2019, tillkännagav först 3NM-processen och gjorde det klart att det skulle överge Finfet. Samsung delar sin 3NM-process i 3GAE och 3GAP. Vid mötet sade Samsung att 3GAE-processnoden kommer att uppnå upp till 30% prestationsförbättring, medan strömförbrukningen kan minskas med 50%, och transistorns densitet kan också ökas med 80%.

Eftersom det ligger bakom TSMC vid 7nm och 5nm processnoder, har Samsung stora förhoppningar om 3NM-processen och hoppas kunna använda Nanochip-transistorer för att ta över TSMC.

Det rapporteras att Samsungs 3GAE-process förväntas officiellt lanseras år 2022, och de många uppgifter som visas vid mötet visar också att Samsung har tagit ett annat steg framåt i 3NM-processen.

Att döma från tidpunkten för lanseringen av Samsungs 3GAE-process, Samsung och TSMC kommer utan tvekan att ha en mer intensiv konkurrens om avancerade 3NM-processer år 2022.